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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPHD9NQ20T,118
PHD9NQ20T,118 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PHD9NQ20T,118 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PHD9NQ20T,118
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PHD9NQ20T,118
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 8.7A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
PHD9NQ20T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3770

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Anzahl

Spezifikation

PHD9NQ20T,118 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PHD9NQ20T,118 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PHD9NQ20T,118

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 88W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 959 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.7A (Tc)  
Grundproduktnummer PHD9NQ20  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PHD9NQ20T,118.

Produkteigenschaften PHD9NQ20T,118 PHD97NQ03LT MOS PHD9NQ20T PHDR-14VS
Artikelnummer PHD9NQ20T,118 PHD97NQ03LT MOS PHD9NQ20T PHDR-14VS
Hersteller Nexperia USA Inc. LUMILEDS Freescale / NXP Semiconductors JST Sales America Inc.
Vgs (Max) ±30V - - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) - - -25°C ~ 85°C
Befestigungsart Surface Mount - - Free Hanging (In-Line)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA - - -
Verlustleistung (max) 88W (Tc) - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 959 pF @ 25 V - - -
Supplier Device-Gehäuse DPAK - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V - - -
Grundproduktnummer PHD9NQ20 - - PHDR-14V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - - -
Serie TrenchMOS™ - - PHD
Paket Tape & Reel (TR) - - Bulk
Typ FET N-Channel - - -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8.7A (Tc) - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - - -

PHD9NQ20T,118 Datenblatt PDF

Laden Sie PHD9NQ20T,118 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PHD9NQ20T,118 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev 31/Dec/2019.pdf
Datenblätter
PHD9NQ20T.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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