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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPHK31NQ03LT,518
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PHK31NQ03LT,518 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PHK31NQ03LT,518
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PHK31NQ03LT,518
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30.4A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
PHK31NQ03LT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 3710

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Anzahl

Spezifikation

PHK31NQ03LT,518 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PHK31NQ03LT,518 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PHK31NQ03LT,518

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 6.9W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4235 pF @ 12 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30.4A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PHK31NQ03LT,518.

Produkteigenschaften PHK31NQ03LT,518 PHK18NQ03LT,518 PHKD13N03LT PHK4NQ20T
Artikelnummer PHK31NQ03LT,518 PHK18NQ03LT,518 PHKD13N03LT PHK4NQ20T
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors Freescale / NXP Semiconductors
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 6.9W (Tc) 6.25W (Tc) - -
VGS (th) (Max) @ Id 2.15V @ 1mA 2.15V @ 1mA - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4235 pF @ 12 V 1380 pF @ 12 V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 33 nC @ 4.5 V 10.6 nC @ 4.5 V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30.4A (Tc) 20.3A (Tc) - -
Supplier Device-Gehäuse 8-SO 8-SO - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.4mOhm @ 25A, 10V 8.9mOhm @ 25A, 10V - -
Serie TrenchMOS™ TrenchMOS™ - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -

PHK31NQ03LT,518 Datenblatt PDF

Laden Sie PHK31NQ03LT,518 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PHK31NQ03LT,518 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 12/Jul/2018.pdf Mult Devices EOL 30/Jun/2018.pdf
Datenblätter
PHK31NQ03LT.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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