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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMK50XP,518
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMK50XP,518 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMK50XP,518
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMK50XP,518
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 7.9A 8SO
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
PMK50XP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5010

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Anzahl

Spezifikation

PMK50XP,518 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMK50XP,518 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMK50XP,518

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SO  
Serie TrenchMOS™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 5W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.9A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMK50XP,518.

Produkteigenschaften PMK50XP,518 STP10NK80Z PMK50XP,518 HUF75623P3
Artikelnummer PMK50XP,518 STP10NK80Z PMK50XP,518 HUF75623P3
Hersteller Nexperia USA Inc. STMicroelectronics NXP Semiconductors onsemi
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse 8-SO TO-220 8-SO TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 800 V 20 V 100 V
Vgs (Max) ±12V ±30V ±12V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA 4.5V @ 100µA 950mV @ 250µA 4V @ 250µA
Verlustleistung (max) 5W (Tc) 190W (Tc) 5W (Tc) 85W (Tc)
Serie TrenchMOS™ SuperMESH™ TrenchMOS™ UltraFET™
Paket Tape & Reel (TR) Tube Bulk Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V 10V 4.5V 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50mOhm @ 2.8A, 4.5V 900mOhm @ 4.5A, 10V 50mOhm @ 2.8A, 4.5V 64mOhm @ 22A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Through Hole Surface Mount Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 7.9A (Tc) 9A (Tc) 7.9A (Tc) 22A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 72 nC @ 10 V 10 nC @ 4.5 V 52 nC @ 20 V
Typ FET P-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1020 pF @ 20 V 2180 pF @ 25 V 1020 pF @ 20 V 790 pF @ 25 V

PMK50XP,518 Datenblatt PDF

Laden Sie PMK50XP,518 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMK50XP,518 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Logo Marking Update 30/Nov/2016.pdf Mult Device Part Marking Add 30/Sep/2017.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 12/Jul/2018.pdf Mult Devices EOL 30/Jun/2018.pdf
Datenblätter
PMK50XP.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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