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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPMV65XP,215
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PMV65XP,215 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PMV65XP,215
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PMV65XP,215
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
PMV65XP.pdf
RoHS Status
vorrätig: 393770

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Anzahl

Spezifikation

PMV65XP,215 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PMV65XP,215 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PMV65XP,215

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 2.8A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 480mW (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 744 pF @ 20 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta)  
Grundproduktnummer PMV65  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PMV65XP,215.

Produkteigenschaften PMV65XP,215 PMV65XP,215 PMV65XPEAR PMV65ENEAR
Artikelnummer PMV65XP,215 PMV65XP,215 PMV65XPEAR PMV65ENEAR
Hersteller Nexperia USA Inc. NXP USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Supplier Device-Gehäuse TO-236AB SOT-23 TO-236AB TO-236AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 40 V
Grundproduktnummer PMV65 - PMV65 PMV65
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 744 pF @ 20 V 744 pF @ 20 V 618 pF @ 10 V 160 pF @ 20 V
Vgs (Max) ±12V ±12V ±12V ±20V
Serie - - Automotive, AEC-Q100 Automotive, AEC-Q101
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 480mW (Ta) 480mW (Ta) 480mW (Ta), 6.25W (Tc) 490mW (Ta), 6.25W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
VGS (th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA 900mV @ 250µA 1.25V @ 250µA 2.5V @ 250µA
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 2.8A (Ta) 2.8A (Ta) 2.8A (Ta) 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 74mOhm @ 2.8A, 4.5V 74mOhm @ 2.8A, 4.5V 78mOhm @ 2.8A, 4.5V 75mOhm @ 2.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.7 nC @ 4.5 V 7.7 nC @ 4.5 V 9 nC @ 4.5 V 6 nC @ 10 V

PMV65XP,215 Datenblatt PDF

Laden Sie PMV65XP,215 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PMV65XP,215 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Pack/Label Update 30/Nov/2016.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Copper Bond Wire 18/Apr/2014.pdf
Datenblätter
PMV65XP.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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