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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPSMN2R4-30MLDX
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PSMN2R4-30MLDX - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PSMN2R4-30MLDX
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PSMN2R4-30MLDX
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Datenblatt
PSMN2R4-30MLD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 54030

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Anzahl

Spezifikation

PSMN2R4-30MLDX Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PSMN2R4-30MLDX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PSMN2R4-30MLDX

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK33  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 91W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3264 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc)  
Grundproduktnummer PSMN2R4  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PSMN2R4-30MLDX.

Produkteigenschaften PSMN2R4-30MLDX PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30YLDX
Artikelnummer PSMN2R4-30MLDX PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-40PS,127 PSMN2R4-30YLDX
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3264 pF @ 15 V 3310 pF @ 15 V 8423 pF @ 20 V 2256 pF @ 15 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 70A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc) 100A (Tc)
Verpackung / Gehäuse SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) SC-100, SOT-669 TO-220-3 SC-100, SOT-669
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V 4.5V, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V 130 nC @ 10 V 31.3 nC @ 10 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V 2.15mOhm @ 25A, 10V 2.1mOhm @ 25A, 10V 2.4mOhm @ 25A, 10V
Supplier Device-Gehäuse LFPAK33 LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB LFPAK56, Power-SO8
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA 1.95V @ 1mA 4V @ 1mA 2.2V @ 1mA
Verlustleistung (max) 91W (Tc) 141W (Tc) 306W (Tc) 106W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer PSMN2R4 PSMN2R2 PSMN2R2 PSMN2R4
FET-Merkmal - - - -
Serie - - - -

PSMN2R4-30MLDX Datenblatt PDF

Laden Sie PSMN2R4-30MLDX PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PSMN2R4-30MLDX - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Logo 10/Dec/2016.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
PSMN2Rx 14/Mar/2022.pdf
Datenblätter
PSMN2R4-30MLD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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