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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPSMN4R8-100PSEQ
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PSMN4R8-100PSEQ - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PSMN4R8-100PSEQ
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PSMN4R8-100PSEQ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
PSMN4R8-100PSE.pdf
RoHS Status
vorrätig: 17506

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Spezifikation

PSMN4R8-100PSEQ Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PSMN4R8-100PSEQ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PSMN4R8-100PSEQ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V  
Verlustleistung (max) 405W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 278 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tj)  
Grundproduktnummer PSMN4R8  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PSMN4R8-100PSEQ.

Produkteigenschaften PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN5R0-80PS,127
Artikelnummer PSMN4R8-100PSEQ PSMN4R4-80PS,127 PSMN4R8-100BSEJ PSMN5R0-80PS,127
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc.
Verlustleistung (max) 405W (Tc) 306W (Tc) 405W (Tc) 270W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 25A, 10V 4.1mOhm @ 15A, 10V 4.8mOhm @ 25A, 10V 4.7mOhm @ 15A, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V 80 V 100 V 80 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 14400 pF @ 50 V 8400 pF @ 40 V 14400 pF @ 50 V 6793 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 278 nC @ 10 V 125 nC @ 10 V 278 nC @ 10 V 101 nC @ 10 V
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 120A (Tj) 100A (Tc) 120A (Tj) 100A (Tc)
Grundproduktnummer PSMN4R8 PSMN4R4 PSMN4R8 PSMN5R0
Supplier Device-Gehäuse TO-220AB TO-220AB D2PAK TO-220AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Serie - - - -

PSMN4R8-100PSEQ Datenblatt PDF

Laden Sie PSMN4R8-100PSEQ PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PSMN4R8-100PSEQ - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
Datenblätter
PSMN4R8-100PSE.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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