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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelPSMN6R0-30YLDX
Nexperia USA Inc.
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PSMN6R0-30YLDX - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PSMN6R0-30YLDX
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PSMN6R0-30YLDX
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK56
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
PSMN6R0-30YLD.pdf
RoHS Status
vorrätig: 104030

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Anzahl

Spezifikation

PSMN6R0-30YLDX Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PSMN6R0-30YLDX Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PSMN6R0-30YLDX

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK56, Power-SO8  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 47W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 832 pF @ 15 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc)  
Grundproduktnummer PSMN6R0  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PSMN6R0-30YLDX.

Produkteigenschaften PSMN6R0-30YLDX PSMN6R9-100YSFX PSMN6R3-120PS PSMN6R3-120PS
Artikelnummer PSMN6R0-30YLDX PSMN6R9-100YSFX PSMN6R3-120PS PSMN6R3-120PS
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. Nexperia USA Inc. NXP Semiconductors
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 832 pF @ 15 V - 11384 pF @ 60 V 11384 pF @ 60 V
Verlustleistung (max) 47W (Tc) 238W 405W (Tc) 405W (Ta)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Bulk
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Through Hole Through Hole
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 66A (Tc) 100A (Tc) 70A (Tc) 70A (Ta)
Grundproduktnummer PSMN6R0 PSMN6R9 PSMN6R3 -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.7 nC @ 10 V 50.3 nC @ 10 V 207.1 nC @ 10 V 207.1 nC @ 10 V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse LFPAK56, Power-SO8 LFPAK56, Power-SO8 TO-220AB TO-220AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V - 6.7mOhm @ 25A, 10V 6.7mOhm @ 25A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 2.2V @ 1mA - 4V @ 1mA 4V @ 1mA
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 100 V 120 V 120 V
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 TO-220-3 TO-220-3

PSMN6R0-30YLDX Datenblatt PDF

Laden Sie PSMN6R0-30YLDX PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PSMN6R0-30YLDX - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Verpackung
All Dev Label Chgs 2/Aug/2020.pdf Label Chg 12/Mar/2017.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Dev Wafer Test Chgs 4/Feb/2022.pdf
Datenblätter
PSMN6R0-30YLD.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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