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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-bipolare (BJT)-Arrays, Pre-biasedPUMD12,115
PUMD12,115 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

PUMD12,115 - Nexperia USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
PUMD12,115
Hersteller
Nexperia
Allelco Artikelnummer
32D-PUMD12,115
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt
PEMD12, PUMD12.pdf
PEMD12, PUMD12.pdf
RoHS Status
vorrätig: 747800

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Anzahl

Spezifikation

PUMD12,115 Tech -Spezifikationen
Nexperia USA Inc. - PUMD12,115 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Nexperia USA Inc. - PUMD12,115

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Nexperia  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA  
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)  
Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP  
Serie -  
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms  
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms  
Leistung - max 300mW  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363  
Paket Tape & Reel (TR)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang 230MHz, 180MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA  
Grundproduktnummer PUMD12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Nexperia USA Inc. PUMD12,115.

Produkteigenschaften PUMD12,115 PUMD16 PUMD12,115 PUMD19
Artikelnummer PUMD12,115 PUMD16 PUMD12,115 PUMD19
Hersteller Nexperia USA Inc. Nexperia NXP USA Inc. Freescale / NXP Semiconductors
Serie - - * -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 100mA - - -
Grundproduktnummer PUMD12 - PUMD12 -
Supplier Device-Gehäuse 6-TSSOP - - -
Befestigungsart Surface Mount - - -
Paket Tape & Reel (TR) - Bulk -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 80 @ 5mA, 5V - - -
Frequenz - Übergang 230MHz, 180MHz - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 50V - - -
Widerstand - Emitterbasis (R2) 47kOhms - - -
Verpackung / Gehäuse 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 1µA - - -
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) - - -
Leistung - max 300mW - - -
Widerstand - Basis (R1) 47kOhms - - -

PUMD12,115 Datenblatt PDF

Laden Sie PUMD12,115 PDF -Datenblätter und Nexperia USA Inc. -Dokumentation für PUMD12,115 - Nexperia USA Inc. herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Resin Hardener 02/Jul/2013.pdf Copper Bond Wire Revision 26/Jan/2015.pdf
PCN -Verpackung
Mult Dev PKg Chgs 26/Oct/2021.pdf Mult Dev Pkg Retraction 26/Oct/2021.pdf
Datenblätter
PEMD12, PUMD12.pdf
HTML -Datenblatt
PEMD12, PUMD12.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
PUMYYY 14/Jan/2019.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
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Nexperia USA Inc.
32D-PUMD12,115

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