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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SJ358C-T1-AZ
Renesas
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2SJ358C-T1-AZ - Renesas

Hersteller Artikelnummer
2SJ358C-T1-AZ
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-2SJ358C-T1-AZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
2SJ358C-T1-AZ - P-CHANNEL MOS FE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SJ358C.pdf
vorrätig: 43100

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Anzahl

Spezifikation

2SJ358C-T1-AZ Tech -Spezifikationen
Renesas - 2SJ358C-T1-AZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas - 2SJ358C-T1-AZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse MP-2  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 143mOhm @ 2A, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 666 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas 2SJ358C-T1-AZ.

Produkteigenschaften 2SJ358C-T1-AZ 2SJ358-T1-AZ 2SJ360(TE12L,F) 2SJ356-T1-AZ
Artikelnummer 2SJ358C-T1-AZ 2SJ358-T1-AZ 2SJ360(TE12L,F) 2SJ356-T1-AZ
Hersteller Renesas Renesas Toshiba Semiconductor and Storage Renesas Electronics America Inc
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 666 pF @ 10 V 600 pF @ 10 V 155 pF @ 10 V -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Betriebstemperatur 150°C 150°C 150°C (TJ) -
Paket Bulk Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA 2V @ 1mA 2V @ 1mA -
Serie - - - *
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V 4V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 143mOhm @ 2A, 10V 300mOhm @ 1.5A, 10V 730mOhm @ 500mA, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 60 V -
Vgs (Max) ±20V +10V, -20V ±20V -
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 23.9 nC @ 10 V 6.5 nC @ 10 V -
Supplier Device-Gehäuse MP-2 MP-2 PW-MINI -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA TO-243AA -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.5A (Ta) 3A (Ta) 1A (Ta) -
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 2W (Ta) 500mW (Ta) -

2SJ358C-T1-AZ Datenblatt PDF

Laden Sie 2SJ358C-T1-AZ PDF -Datenblätter und Renesas -Dokumentation für 2SJ358C-T1-AZ - Renesas herunter.

Datenblätter
2SJ358C.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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