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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SJ687-ZK-E1-AY
2SJ687-ZK-E1-AY Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

2SJ687-ZK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
2SJ687-ZK-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-2SJ687-ZK-E1-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 20A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
2SJ687-ZK-E1-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 70630

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Anzahl

Spezifikation

2SJ687-ZK-E1-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - 2SJ687-ZK-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - 2SJ687-ZK-E1-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±12V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (MP-3ZK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1W (Ta), 36W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 4.5 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc 2SJ687-ZK-E1-AY.

Produkteigenschaften 2SJ687-ZK-E1-AY 2SJ673-AZ 2SJ670-TD-E 2SJ680
Artikelnummer 2SJ687-ZK-E1-AY 2SJ673-AZ 2SJ670-TD-E 2SJ680
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Sanyo TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Stora
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 20A (Tc) 36A (Tc) - -
Serie - - * -
Typ FET P-Channel P-Channel - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 4400 pF @ 10 V 4600 pF @ 10 V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4V, 10V - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7mOhm @ 10A, 4.5V 20mOhm @ 18A, 10V - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 60 V - -
Befestigungsart Surface Mount Through Hole - -
Verlustleistung (max) 1W (Ta), 36W (Tc) 2W (Ta), 32W (Tc) - -
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3 Isolated Tab - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Bulk -
Vgs (Max) ±12V ±20V - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57 nC @ 4.5 V 87 nC @ 10 V - -
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (MP-3ZK) TO-220 Isolated Tab - -

2SJ687-ZK-E1-AY Datenblatt PDF

Laden Sie 2SJ687-ZK-E1-AY PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für 2SJ687-ZK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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