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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-Einzel2SK2109-T1-AZ
Renesas
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2SK2109-T1-AZ - Renesas

Hersteller Artikelnummer
2SK2109-T1-AZ
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-2SK2109-T1-AZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
2SK2109-T1-AZ - N-CHANNEL MOS FE
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-243AA
Datenblatt
2SK2109-T1-AZ.pdf
vorrätig: 78400

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Anzahl

Spezifikation

2SK2109-T1-AZ Tech -Spezifikationen
Renesas - 2SK2109-T1-AZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas - 2SK2109-T1-AZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SC-62  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 300mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-243AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Betriebstemperatur 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 111 pF @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas 2SK2109-T1-AZ.

Produkteigenschaften 2SK2109-T1-AZ 2SK2103T100 2SK2103 T100 2SK2103
Artikelnummer 2SK2109-T1-AZ 2SK2103T100 2SK2103 T100 2SK2103
Hersteller Renesas Rohm Semiconductor LAPIS Technology LAPIS Technology
Verpackung / Gehäuse TO-243AA TO-243AA - -
Betriebstemperatur 150°C 150°C (TJ) - -
Paket Bulk Tape & Reel (TR) - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 111 pF @ 10 V 230 pF @ 10 V - -
Serie - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA 2.5V @ 1mA - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 500mA (Ta) 2A (Ta) - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 30 V - -
Supplier Device-Gehäuse SC-62 MPT3 - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 300mA, 10V 400mOhm @ 1A, 10V - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4V, 10V - -
Verlustleistung (max) 2W (Ta) 500mW (Ta) - -
FET-Merkmal - - - -

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Lieferzeit

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Versandkosten

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  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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