Spezifikation
2SK4150TZ-E Tech -Spezifikationen
Renesas - 2SK4150TZ-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas - 2SK4150TZ-E
| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Hersteller |
Renesas Electronics Corporation |
|
| VGS (th) (Max) @ Id |
1.5V @ 1mA |
|
| Vgs (Max) |
±10V |
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| Technologie |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Supplier Device-Gehäuse |
TO-92 |
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| Serie |
- |
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| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
5.7Ohm @ 200mA, 4V |
|
| Verlustleistung (max) |
750mW (Ta) |
|
| Verpackung / Gehäuse |
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
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| Paket |
Bulk |
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| Produkteigenschaften |
Eigenschaften
| |
| Betriebstemperatur |
150°C |
|
| Befestigungsart |
Through Hole |
|
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds |
80 pF @ 25 V |
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| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
3.7 nC @ 4 V |
|
| Typ FET |
N-Channel |
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| FET-Merkmal |
- |
|
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) |
2.5V, 4V |
|
| Drain-Source-Spannung (Vdss) |
250 V |
|
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C |
400mA (Ta) |
|
Lieferung
Lieferzeit
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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)
Versandart
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| Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder |
| Region |
Land |
Logistische Zeit (Tag) |
| Amerika |
Vereinigte Staaten |
5 |
| Brasilien |
7 |
| Europa |
Deutschland |
5 |
| Großbritannien |
4 |
| Italien |
5 |
| Ozeanien |
Australien |
6 |
| Neuseeland |
5 |
| Asien |
Indien |
4 |
| Japan |
4 |
| Naher Osten |
Israel |
6 |
| DHL & FedEx -Versandkosten Referenz |
| Versandkosten (KG) |
Referenz DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Notiz:
- Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
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