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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)Memory70V657S12BF
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70V657S12BF - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
70V657S12BF
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-70V657S12BF
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC SRAM 1.125MBIT PAR 208CABGA
detaillierte Beschreibung
Verpackung
208-LFBGA
Datenblatt
IDT Suffixes.pdf
vorrätig: 320

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Anzahl

Spezifikation

70V657S12BF Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - 70V657S12BF Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - 70V657S12BF

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 12ns  
Spannungsversorgung 3.15V ~ 3.45V  
Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous  
Supplier Device-Gehäuse 208-CABGA (15x15)  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 208-LFBGA  
Paket Tray  
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 1.125Mbit  
Speicherorganisation 32K x 36  
Speicherschnittstelle Parallel  
Speicherformat SRAM  
Grundproduktnummer 70V657  
Zugriffszeit 12 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc 70V657S12BF.

Produkteigenschaften 70V657S12BF 70V3379S4PRFG CAT24C04VP2I-GT3 SST25VF080B-80-4C-QAE
Artikelnummer 70V657S12BF 70V3379S4PRFG CAT24C04VP2I-GT3 SST25VF080B-80-4C-QAE
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc onsemi Microchip Technology
Paket Tray Tray Tape & Reel (TR) Tube
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 12ns - 5ms 10µs
Speicherorganisation 32K x 36 32K x 18 512 x 8 1M x 8
Speicherschnittstelle Parallel Parallel I²C SPI
Grundproduktnummer 70V657 70V3379 CAT24C04 SST25VF080
Spannungsversorgung 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 1.7V ~ 5.5V 2.7V ~ 3.6V
Serie - - - SST25
Supplier Device-Gehäuse 208-CABGA (15x15) 128-TQFP (14x20) 8-TDFN (2x3) 8-WSON
Speicherformat SRAM SRAM EEPROM FLASH
Verpackung / Gehäuse 208-LFBGA 128-LQFP 8-WFDFN Exposed Pad 8-WDFN Exposed Pad
Speichertyp Volatile Volatile Non-Volatile Non-Volatile
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Zugriffszeit 12 ns 4.2 ns 900 ns -
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) -40°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)
Speichergröße 1.125Mbit 576Kbit 4Kbit 8Mbit
Technologie SRAM - Dual Port, Asynchronous SRAM - Dual Port, Synchronous EEPROM FLASH

70V657S12BF Datenblatt PDF

Laden Sie 70V657S12BF PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für 70V657S12BF - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
IDT Suffixes.pdf

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(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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    +00852 9146 4856

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70V657S12BF

Renesas Electronics America Inc
32D-70V657S12BF

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