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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)Memory71V424S10YG
71V424S10YG Image
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71V424S10YG - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
71V424S10YG
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-71V424S10YG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
detaillierte Beschreibung
Verpackung
36-BSOJ (0.400', 10.16mm Width)
Datenblatt
IDT Suffixes.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5893

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Anzahl

Spezifikation

71V424S10YG Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - 71V424S10YG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - 71V424S10YG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 10ns  
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V  
Technologie SRAM - Asynchronous  
Supplier Device-Gehäuse 36-SOJ  
Serie -  
Verpackung / Gehäuse 36-BSOJ (0.400', 10.16mm Width)  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Speichertyp Volatile  
Speichergröße 4Mbit  
Speicherorganisation 512K x 8  
Speicherschnittstelle Parallel  
Speicherformat SRAM  
Grundproduktnummer 71V424  
Zugriffszeit 10 ns  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc 71V424S10YG.

Produkteigenschaften 71V424S10YG 71V416VS10PHG 71V424L15YG 71V546S133PF
Artikelnummer 71V424S10YG 71V416VS10PHG 71V424L15YG 71V546S133PF
Hersteller Renesas Electronics America Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc IDT, Integrated Device Technology Inc
Speichertyp Volatile Volatile Volatile Volatile
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 36-BSOJ (0.400', 10.16mm Width) 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) 100-LQFP
Supplier Device-Gehäuse 36-SOJ 44-TSOP II 36-SOJ 100-TQFP (14x14)
Technologie SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous SRAM - Synchronous, SDR (ZBT)
Zugriffszeit 10 ns 10 ns 15 ns 4.2 ns
Speicherorganisation 512K x 8 256K x 16 512K x 8 128K x 36
Speichergröße 4Mbit 4Mbit 4Mbit 4.5Mbit
Speicherformat SRAM SRAM SRAM SRAM
Grundproduktnummer 71V424 71V416V 71V424 71V546
Serie - - - -
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite 10ns 10ns 15ns -
Speicherschnittstelle Parallel Parallel Parallel Parallel
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
Spannungsversorgung 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.465V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA) 0°C ~ 70°C (TA)

71V424S10YG Datenblatt PDF

Laden Sie 71V424S10YG PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für 71V424S10YG - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Cylindrical Battery Holders.pdf
HTML -Datenblatt
IDT Suffixes.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev EOL 19/Jan/2022.pdf Mult Dev EOL 28/Feb/2022.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
2.73KHz.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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