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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2131R-EL-E
HAT2131R-EL-E Image
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HAT2131R-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT2131R-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2131R-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 350V 900MA 8SOP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt
HAT2131R-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4500

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Spezifikation

HAT2131R-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT2131R-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT2131R-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 450mA, 10V  
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 350 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA (Ta)  
Grundproduktnummer HAT2131  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT2131R-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2131R-EL-E HAT2143H-EL-E HAT2140H-EL-E HAT2116H-EL-E
Artikelnummer HAT2131R-EL-E HAT2143H-EL-E HAT2140H-EL-E HAT2116H-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Supplier Device-Gehäuse 8-SOP LFPAK LFPAK LFPAK
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 7V, 10V 4.5V, 10V
Serie - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 460 pF @ 25 V 2450 pF @ 10 V 6500 pF @ 10 V 1650 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 900mA (Ta) 40A (Ta) 25A (Ta) 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3Ohm @ 450mA, 10V 6.1mOhm @ 20A, 10V 16mOhm @ 12.5A, 10V 8.2mOhm @ 15A, 10V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 2.5W (Ta) 20W (Tc) 30W (Tc) 15W (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 350 V 30 V 100 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V 105 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Grundproduktnummer HAT2131 HAT2143 HAT2140 HAT2116

HAT2131R-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT2131R-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT2131R-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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