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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelHAT2168H-EL-E
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HAT2168H-EL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HAT2168H-EL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HAT2168H-EL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 30A LFPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
SC-100, SOT-669
Datenblatt
HAT2168H-EL-E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4520

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Anzahl

Spezifikation

HAT2168H-EL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HAT2168H-EL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HAT2168H-EL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse LFPAK  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 15W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta)  
Grundproduktnummer HAT2168  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HAT2168H-EL-E.

Produkteigenschaften HAT2168H-EL-E HAT2165N-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2166H-EL-E
Artikelnummer HAT2168H-EL-E HAT2165N-EL-E HAT2170H-EL-E HAT2166H-EL-E
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Ta) 55A (Ta) 45A (Ta) 45A (Ta)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 40 V 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 4.5 V 33 nC @ 4.5 V 62 nC @ 10 V 27 nC @ 4.5 V
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id - - 3V @ 1mA 2.5V @ 1mA
Vgs (Max) ±20V - ±20V ±20V
Verlustleistung (max) 15W (Tc) 30W (Tc) 30W (Tc) 25W (Tc)
Verpackung / Gehäuse SC-100, SOT-669 8-PowerSOIC (0.154", 3.90mm Width) SC-100, SOT-669 SC-100, SOT-669
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Supplier Device-Gehäuse LFPAK 8-LFPAK-iV LFPAK LFPAK
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 7V, 10V 4.5V, 10V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1730 pF @ 10 V 5180 pF @ 10 V 4650 pF @ 10 V 4400 pF @ 10 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer HAT2168 - HAT2170 HAT2166
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.9mOhm @ 15A, 10V 3.6mOhm @ 27.5A, 10V 4.2mOhm @ 22.5A, 10V 3.8mOhm @ 22.5A, 10V

HAT2168H-EL-E Datenblatt PDF

Laden Sie HAT2168H-EL-E PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HAT2168H-EL-E - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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