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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberHIP6602BCRZ
HIP6602BCRZ Image
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HIP6602BCRZ - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HIP6602BCRZ
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HIP6602BCRZ
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16QFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
16-VQFN Exposed Pad
Datenblatt
Cylindrical Battery Holders.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4250

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Anzahl

Spezifikation

HIP6602BCRZ Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HIP6602BCRZ Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HIP6602BCRZ

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Spannungsversorgung 10.8V ~ 13.2V  
Supplier Device-Gehäuse 16-QFN (5x5)  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 20ns, 20ns  
Verpackung / Gehäuse 16-VQFN Exposed Pad  
Paket Tray  
Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 4  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH -  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 15 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) -  
Ladestrom Synchronous  
Grundproduktnummer HIP6602  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HIP6602BCRZ.

Produkteigenschaften HIP6602BCRZ HIP6602CB HIP6603BCB-T HIP6602BCR
Artikelnummer HIP6602BCRZ HIP6602CB HIP6603BCB-T HIP6602BCR
Hersteller Renesas Electronics America Inc Intersil Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Supplier Device-Gehäuse 16-QFN (5x5) 14-SOIC 8-SOIC 16-QFN (5x5)
Anzahl der Treiber 4 4 2 4
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns 20ns, 20ns
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Spannungsversorgung 10.8V ~ 13.2V 5V ~ 12V, 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V 10.8V ~ 13.2V
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Serie - - - -
Ladestrom Synchronous Synchronous Synchronous Synchronous
Verpackung / Gehäuse 16-VQFN Exposed Pad 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 16-VQFN Exposed Pad
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) - 730mA, - - -
Paket Tray Bulk Tape & Reel (TR) Tube
Logikspannung - VIL, VIH - - - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 85°C (TA) 0°C ~ 125°C (TJ) 0°C ~ 125°C (TJ)
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 15 V - 15 V 15 V
Grundproduktnummer HIP6602 HIP6602 HIP6603 HIP6602

HIP6602BCRZ Datenblatt PDF

Laden Sie HIP6602BCRZ PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für HIP6602BCRZ - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
2.73KHz.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Cylindrical Battery Holders.pdf
Datenblätter
Cylindrical Battery Holders.pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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