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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-RFHSG1002VE-TL-E
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

HSG1002VE-TL-E - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
HSG1002VE-TL-E
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-HSG1002VE-TL-E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
RF 0.035A C BAND GERMANIUM NPN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
4-SMD, Gull Wing
Datenblatt
HSG1002VE-TL-E.pdf
vorrätig: 112330

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Anzahl

Spezifikation

HSG1002VE-TL-E Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - HSG1002VE-TL-E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - HSG1002VE-TL-E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 3.5V  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse 4-MFPAK  
Serie -  
Leistung - max 200mW  
Verpackung / Gehäuse 4-SMD, Gull Wing  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Bulk  
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz  
Befestigungsart Surface Mount  
Gewinnen 8dB ~ 19.5dB  
Frequenz - Übergang 38GHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 5mA, 2V  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 35mA  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc HSG1002VE-TL-E.

Produkteigenschaften HSG1002VE-TL-E HSG2001VF-01TL-E MRF581 MMBTH10
Artikelnummer HSG1002VE-TL-E HSG2001VF-01TL-E MRF581 MMBTH10
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Microsemi Corporation onsemi
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 5mA, 2V - 50 @ 50mA, 5V 60 @ 4mA, 10V
Leistung - max 200mW - 1.25W 225mW
Supplier Device-Gehäuse 4-MFPAK - Micro-X ceramic (84C) SOT-23-3
Rauschzahl (dB Typ @ f) 0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz - 3dB ~ 3.5dB @ 500MHz -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 35mA - 200mA 50mA
Paket Bulk Bulk Bulk Tape & Reel (TR)
Gewinnen 8dB ~ 19.5dB - 13dB ~ 15.5dB -
Frequenz - Übergang 38GHz - 5GHz 650MHz
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 3.5V - 18V 25V
Transistor-Typ NPN - NPN NPN
Verpackung / Gehäuse 4-SMD, Gull Wing - Micro-X ceramic (84C) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Serie - * - -
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount

Lieferung

Lieferzeit

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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Renesas Electronics America Inc

HSG1002VE-TL-E

Renesas Electronics America Inc
32D-HSG1002VE-TL-E

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