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ZuhauseProdukteIntegrierte schaltkreise (ICS)PMIC-Gate-TreiberISL2111BR4Z
ISL2111BR4Z Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

ISL2111BR4Z - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
ISL2111BR4Z
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-ISL2111BR4Z
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DFN
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-VDFN Exposed Pad
Datenblatt
ISL2111BR4Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 12311

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Spezifikation

ISL2111BR4Z Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - ISL2111BR4Z Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - ISL2111BR4Z

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
Spannungsversorgung 8V ~ 14V  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (4x4)  
Serie -  
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns  
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad  
Paket Tube  
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ)  
Anzahl der Treiber 2  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Befestigungsart Surface Mount  
Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V  
Eingabetyp Non-Inverting  
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 114 V  
Gate-Typ N-Channel MOSFET  
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge  
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 3A, 4A  
Ladestrom Independent  
Grundproduktnummer ISL2111  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc ISL2111BR4Z.

Produkteigenschaften ISL2111BR4Z ISL2111ABZ ISL2110ABZ-T ISL2111BR4Z-T
Artikelnummer ISL2111BR4Z ISL2111ABZ ISL2110ABZ-T ISL2111BR4Z-T
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Eingabetyp Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting Non-Inverting
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Logikspannung - VIL, VIH 1.4V, 2.2V 1.4V, 2.2V 3.7V, 7.4V 1.4V, 2.2V
High-Side-Spannung - Max (Bootstrap) 114 V 114 V 114 V 114 V
Serie - - - -
Anzahl der Treiber 2 2 2 2
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (4x4) 8-SOIC 8-SOIC 8-DFN (4x4)
Aufstieg / Fallzeit (Typ) 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns 9ns, 7.5ns
Ladestrom Independent Independent Independent Independent
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Angetriebene Konfiguration Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge Half-Bridge
Gate-Typ N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Spannungsversorgung 8V ~ 14V 8V ~ 14V 8V ~ 14V 8V ~ 14V
Strom - Spitzenleistung (Quelle, Sink) 3A, 4A 3A, 4A 3A, 4A 3A, 4A
Verpackung / Gehäuse 8-VDFN Exposed Pad 8-SOIC (0.154', 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-VDFN Exposed Pad
Grundproduktnummer ISL2111 ISL2111 ISL2110 ISL2111
Betriebstemperatur -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ) -40°C ~ 125°C (TJ)

ISL2111BR4Z Datenblatt PDF

Laden Sie ISL2111BR4Z PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für ISL2111BR4Z - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf Tube-Tray 11-17-22.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Alternate Assembly Site 12/Mar/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Datasheet Update 17/Mar/2017.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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32D-ISL2111BR4Z

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