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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNP100P04PDG-E1-AY
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NP100P04PDG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
NP100P04PDG-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-NP100P04PDG-E1-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 40V 100A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NP100P04PDG-E1-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10322

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Spezifikation

NP100P04PDG-E1-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - NP100P04PDG-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - NP100P04PDG-E1-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 200W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15100 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc)  
Grundproduktnummer NP100P04  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc NP100P04PDG-E1-AY.

Produkteigenschaften NP100P04PDG-E1-AY NP100N04PUK-E1-AY NP109N04PUK-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY
Artikelnummer NP100P04PDG-E1-AY NP100N04PUK-E1-AY NP109N04PUK-E1-AY NP100P06PDG-E1-AY
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
VGS (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA - 4V @ 250µA 2.5V @ 1mA
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Supplier Device-Gehäuse TO-263 TO-263 TO-263 (D²Pak) TO-263
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
FET-Merkmal - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 15100 pF @ 10 V 7050 pF @ 25 V 10800 pF @ 25 V 15000 pF @ 10 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 100A (Tc) 100A (Tc) 110A (Tc) 100A (Tc)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 10V 10V 4.5V, 10V
Betriebstemperatur 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 40 V 40 V 60 V
Serie - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Grundproduktnummer NP100P04 NP100N04 NP109N04 NP100P06
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 320 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 189 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5mOhm @ 50A, 10V 2.3mOhm @ 50A, 10V 1.75mOhm @ 55A, 10V 6mOhm @ 50A, 10V
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 200W (Tc) 1.8W (Ta), 176W (Tc) 1.8W (Ta), 250W (Tc) 1.8W (Ta), 200W (Tc)

NP100P04PDG-E1-AY Datenblatt PDF

Laden Sie NP100P04PDG-E1-AY PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für NP100P04PDG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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