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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNP45N06VUK-E1-AY
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NP45N06VUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
NP45N06VUK-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-NP45N06VUK-E1-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 45A TO263-3
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NP45N06VUK-E1-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 54690

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Anzahl

Spezifikation

NP45N06VUK-E1-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - NP45N06VUK-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - NP45N06VUK-E1-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263-3  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 23A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 75W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2540 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc)  
Grundproduktnummer NP45N06  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc NP45N06VUK-E1-AY.

Produkteigenschaften NP45N06VUK-E1-AY NP45N06VDK-E1-AY NP40N10PDF-E1-AY APT12F60K
Artikelnummer NP45N06VUK-E1-AY NP45N06VDK-E1-AY NP40N10PDF-E1-AY APT12F60K
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Microsemi Corporation
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 5V @ 500µA
Serie Automotive, AEC-Q101 - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 60 V 100 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.6mOhm @ 23A, 10V 11.6mOhm @ 23A, 10V 27mOhm @ 20A, 10V 620mOhm @ 6A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±30V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-3
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 75W (Tc) 1.2W (Ta), 75W (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) 225W (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 10V
Supplier Device-Gehäuse TO-263-3 TO-252 (MP-3ZP) TO-263 (D²Pak) TO-220 [K]
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2540 pF @ 25 V 2300 pF @ 25 V 3150 pF @ 25 V 2200 pF @ 25 V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 45A (Tc) 45A (Tc) 40A (Tc) 12A (Tc)
Betriebstemperatur 175°C 175°C 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 38 nC @ 10 V 71 nC @ 10 V 55 nC @ 10 V
Grundproduktnummer NP45N06 NP45N06 - APT12F60

NP45N06VUK-E1-AY Datenblatt PDF

Laden Sie NP45N06VUK-E1-AY PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für NP45N06VUK-E1-AY - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Asien Indien 4
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DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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