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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNP55N03SUG-E1-AY
NP55N03SUG-E1-AY Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

NP55N03SUG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
NP55N03SUG-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-NP55N03SUG-E1-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 55A TO252
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
NP55N03SUG-E1-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5320

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Anzahl

Spezifikation

NP55N03SUG-E1-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - NP55N03SUG-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - NP55N03SUG-E1-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (MP-3ZK)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 28A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta), 77W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc NP55N03SUG-E1-AY.

Produkteigenschaften NP55N03SUG-E1-AY NP55N055SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY
Artikelnummer NP55N03SUG-E1-AY NP55N055SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY NP52N06SLG-E1-AY
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 55A (Tc) 55A (Tc) 50A (Tc) 60V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V - -
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 17.5 mOhm @ 26A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Verlustleistung (max) 1.2W (Ta), 77W (Tc) 1.2W (Ta), 77W (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 93 nC @ 10 V 96 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V -
Betriebstemperatur 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Serie - - - -
FET-Merkmal - - - N-Channel
Supplier Device-Gehäuse TO-252 (MP-3ZK) TO-252 (MP-3ZK) TO-252 (MP-3ZK) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5mOhm @ 28A, 10V 9.5mOhm @ 28A, 10V 16.5mOhm @ 25A, 10V 52A (Tc)
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 5300 pF @ 25 V 4800 pF @ 25 V 5000 pF @ 10 V 39nC @ 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 55 V 60 V -

NP55N03SUG-E1-AY Datenblatt PDF

Laden Sie NP55N03SUG-E1-AY PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für NP55N03SUG-E1-AY - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 28/Aug/2013.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013.pdf

Lieferung

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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