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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelNP80N04KHE-E1-AY
NP80N04KHE-E1-AY Image
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NP80N04KHE-E1-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
NP80N04KHE-E1-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-NP80N04KHE-E1-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 80A TO263
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
NP80N04KHE-E1-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4470

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Anzahl

Spezifikation

NP80N04KHE-E1-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - NP80N04KHE-E1-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - NP80N04KHE-E1-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-263  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 120W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc NP80N04KHE-E1-AY.

Produkteigenschaften NP80N04KHE-E1-AY NP80N055KLE-E1-AY NP82N03PUG MOS NP80N055KHE-E1
Artikelnummer NP80N04KHE-E1-AY NP80N055KLE-E1-AY NP82N03PUG MOS NP80N055KHE-E1
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas NEC NEC
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 55 V - -
Supplier Device-Gehäuse TO-263 TO-263-3 - -
Verlustleistung (max) 1.8W (Ta), 120W (Tc) 1.8W (Ta), 120W (Tc) - -
Betriebstemperatur 175°C (TJ) 175°C - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk - -
Serie - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 80A (Tc) - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8mOhm @ 40A, 10V 11mOhm @ 40A, 10V - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 60 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3300 pF @ 25 V 4400 pF @ 25 V - -
Typ FET N-Channel N-Channel - -

NP80N04KHE-E1-AY Datenblatt PDF

Laden Sie NP80N04KHE-E1-AY PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für NP80N04KHE-E1-AY - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Devices EOL 15/Jun/2018.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Wafer Fabrication Site Change 10/Oct/2013.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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