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R1WV3216RBG-7SI#B0 - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer: R1WV3216RBG-7SI#B0

Hersteller: Renesas Electronics Corporation

Allelco Artikelnummer: 32D-R1WV3216RBG-7SI#B0

ECAD -Modell

Teile Beschreibung: IC SRAM 32MBIT PARALLEL 48TFBGA

detaillierte Beschreibung

Verpackung: 48-TFBGA

Datenblatt: ~~R1WV3216RBG-7SI#B0.pdf~~

RoHS Status

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vorrätig: 17270

Spezifikation

R1WV3216RBG-7SI#B0 Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - R1WV3216RBG-7SI#B0 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - R1WV3216RBG-7SI#B0

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	Renesas Electronics Corporation
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	70ns
Spannungsversorgung	2.7V ~ 3.6V
Technologie	SRAM
Supplier Device-Gehäuse	48-TFBGA (7.5x8.5)
Serie	-
Verpackung / Gehäuse	48-TFBGA
Paket	Tube
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Speichertyp	Volatile
Speichergröße	32Mbit
Speicherorganisation	2M x 16
Speicherschnittstelle	Parallel
Speicherformat	SRAM
Grundproduktnummer	R1WV3216
Zugriffszeit	70 ns

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc R1WV3216RBG-7SI#B0.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	R1WV3216RBG-7SI#B0	R1WV6416RBG-5SI#B0	S25FS512SAGNFI011	CY7C1373D-133AXI
Hersteller	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Speicherschnittstelle	Parallel	Parallel	SPI - Quad I/O, QPI	Parallel
Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite	70ns	55ns	-	-
Paket	Tube	Tray	Tube	Tray
Spannungsversorgung	2.7V ~ 3.6V	2.7V ~ 3.6V	1.7V ~ 2V	3.135V ~ 3.6V
Technologie	SRAM	SRAM	FLASH - NOR	SRAM - Synchronous, SDR
Supplier Device-Gehäuse	48-TFBGA (7.5x8.5)	48-TFBGA (8.5x11)	8-WSON (6x8)	100-TQFP (14x20)
Speichergröße	32Mbit	64Mbit	512Mbit	18Mbit
Speicherorganisation	2M x 16	8M x 8, 4M x 16	64M x 8	1M x 18
Speichertyp	Volatile	Volatile	Non-Volatile	Volatile
Serie	-	-	FS-S	NoBL™
Zugriffszeit	70 ns	55 ns	-	6.5 ns
Verpackung / Gehäuse	48-TFBGA	48-TFBGA	8-WDFN Exposed Pad	100-LQFP
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Betriebstemperatur	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)	-40°C ~ 85°C (TA)
Grundproduktnummer	R1WV3216	R1WV6416	S25FS512	CY7C1373
Speicherformat	SRAM	SRAM	FLASH	SRAM

R1WV3216RBG-7SI#B0 Datenblatt PDF

Laden Sie R1WV3216RBG-7SI#B0 PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für R1WV3216RBG-7SI#B0 - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung: Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf Mult Devices Tape 31/Jan/2018.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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