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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysRJK0216DPA-00#J53
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

RJK0216DPA-00#J53 - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
RJK0216DPA-00#J53
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-RJK0216DPA-00#J53
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-WFDFN
Datenblatt
RJK0216DPA-00#J53.pdf
vorrätig: 31702

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Spezifikation

RJK0216DPA-00#J53 Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - RJK0216DPA-00#J53 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - RJK0216DPA-00#J53

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 7.5A, 10V  
Leistung - max 10W, 20W  
Verpackung / Gehäuse 8-WFDFN  
Paket Bulk  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V  
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4.5V Drive  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A, 32A  
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge)  
Grundproduktnummer RJK0216  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc RJK0216DPA-00#J53.

Produkteigenschaften RJK0216DPA-00#J53 RJK0230DPA-00#J5A RJK0226DNS-00#J5 RJK0216DPA-00-J53
Artikelnummer RJK0216DPA-00#J53 RJK0230DPA-00#J5A RJK0226DNS-00#J5 RJK0216DPA-00-J53
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Nexperia USA Inc. Renesas Electronics Corporation
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 10V 1650pF @ 10V 6020 pF @ 10 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 15A, 32A 20A, 50A 40A (Ta) -
Verpackung / Gehäuse 8-WFDFN 8-PowerVDFN 8-PowerVDFN -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.2mOhm @ 7.5A, 10V 7mOhm @ 10A, 10V 2.8mOhm @ 20A, 8V -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Leistung - max 10W, 20W 15W, 35W - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.2nC @ 4.5V 7.7nC @ 4.5V 8 nC @ 4.5 V -
VGS (th) (Max) @ Id - - 2.5V @ 1mA -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C -
Paket Bulk Bulk Bulk -
Konfiguration 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) - -
FET-Merkmal Logic Level Gate, 4.5V Drive Logic Level Gate - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 25V 25V 25 V -
Supplier Device-Gehäuse 8-DFN (5x6) 8-WPAK-D 8-HVSON (3x3.3) -
Serie - - - -
Grundproduktnummer RJK0216 RJK0230D - -

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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    +00852 9146 4856

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