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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelUPA2739T1A-E2-AY
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

UPA2739T1A-E2-AY - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
UPA2739T1A-E2-AY
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-UPA2739T1A-E2-AY
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 85A 8HVSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
UPA2739T1A-E2-AY.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4590

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Anzahl

Spezifikation

UPA2739T1A-E2-AY Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - UPA2739T1A-E2-AY Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - UPA2739T1A-E2-AY

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-HVSON (5x5.4)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 23A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6050 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Ta)  
Grundproduktnummer UPA2739  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc UPA2739T1A-E2-AY.

Produkteigenschaften UPA2739T1A-E2-AY UPA2738GR-E1-AT UPA2737GR-E1-AT UPA2749UT1A-E2-AY
Artikelnummer UPA2739T1A-E2-AY UPA2738GR-E1-AT UPA2737GR-E1-AT UPA2749UT1A-E2-AY
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
VGS (th) (Max) @ Id - - - -
Typ FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V -
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) 1.1W (Ta) 1.1W (Ta) -
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN 8-PowerSOIC (0.173", 4.40mm Width) 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) -
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Supplier Device-Gehäuse 8-HVSON (5x5.4) 8-SOP 8-SOP -
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.7mOhm @ 23A, 4.5V 15mOhm @ 10A, 10V 13mOhm @ 11A, 10V -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V 30 V 30 V -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 153 nC @ 10 V 37 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V -
Grundproduktnummer UPA2739 - - -
Serie - - - *
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 6050 pF @ 10 V 1450 pF @ 10 V 1750 pF @ 10 V -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 85A (Ta) 10A (Ta) 11A (Ta) -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

UPA2739T1A-E2-AY Datenblatt PDF

Laden Sie UPA2739T1A-E2-AY PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für UPA2739T1A-E2-AY - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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