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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelUPA2813T1L-E2-AT
Renesas Electronics America Inc
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

UPA2813T1L-E2-AT - Renesas Electronics America Inc

Hersteller Artikelnummer
UPA2813T1L-E2-AT
Hersteller
Renesas Electronics Corporation
Allelco Artikelnummer
32D-UPA2813T1L-E2-AT
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 27A 8HWSON
detaillierte Beschreibung
Verpackung
8-PowerVDFN
Datenblatt
UPA2813T1L-E2-AT.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4070

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Spezifikation

UPA2813T1L-E2-AT Tech -Spezifikationen
Renesas Electronics America Inc - UPA2813T1L-E2-AT Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Renesas Electronics America Inc - UPA2813T1L-E2-AT

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Renesas Electronics Corporation  
VGS (th) (Max) @ Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 8-HWSON (3.3x3.3)  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 27A, 10V  
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc)  
Grundproduktnummer UPA2813  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Renesas Electronics America Inc UPA2813T1L-E2-AT.

Produkteigenschaften UPA2813T1L-E2-AT UPA2807T1L-E1-AT UPA2816T1S-E2-AT UPA2810T1L-E2-AY
Artikelnummer UPA2813T1L-E2-AT UPA2807T1L-E1-AT UPA2816T1S-E2-AT UPA2810T1L-E2-AY
Hersteller Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc
Grundproduktnummer UPA2813 - UPA2816 -
Verlustleistung (max) 1.5W (Ta) - 1.5W (Ta) 1.5W (Ta)
Vgs (Max) ±20V - +20V, -25V -
Paket Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 27A (Tc) - 17A (Tc) 13A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 4.5V, 10V -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
Verpackung / Gehäuse 8-PowerVDFN - 8-PowerWDFN 8-VDFN Exposed Pad
Drain-Source-Spannung (Vdss) 30 V - 30 V 30 V
FET-Merkmal - - - -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80 nC @ 10 V - 33.4 nC @ 10 V 40 nC @ 10 V
VGS (th) (Max) @ Id - - - 2.5V @ 1mA
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3130 pF @ 10 V - 1160 pF @ 10 V 1860 pF @ 10 V
Supplier Device-Gehäuse 8-HWSON (3.3x3.3) - 8-HWSON (3.3x3.3) 8-DFN3333 (3.3x3.3)
Serie - * - -
Typ FET P-Channel - P-Channel P-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.2mOhm @ 27A, 10V - 15.5mOhm @ 17A, 10V 12mOhm @ 13A, 10V

UPA2813T1L-E2-AT Datenblatt PDF

Laden Sie UPA2813T1L-E2-AT PDF -Datenblätter und Renesas Electronics America Inc -Dokumentation für UPA2813T1L-E2-AT - Renesas Electronics America Inc herunter.

PCN -Verpackung
Label Change-All Devices 01/Dec/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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