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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-ArraysSMA5127
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SMA5127 - Sanken Electric USA Inc.

Hersteller Artikelnummer
SMA5127
Hersteller
Sanken Electric USA Inc.
Allelco Artikelnummer
32D-SMA5127
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
12-SIP
Datenblatt
SMA5127.pdf
RoHS Status
RoHS-konform
vorrätig: 4920

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Anzahl

Spezifikation

SMA5127 Tech -Spezifikationen
Sanken Electric USA Inc. - SMA5127 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Sanken Electric USA Inc. - SMA5127

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Sanken Electric USA Inc.  
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse 12-SIP  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 2A, 4V  
Leistung - max 4W  
Verpackung / Gehäuse 12-SIP  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -  
FET-Merkmal -  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A  
Konfiguration 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)  
Grundproduktnummer SMA51  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Sanken Electric USA Inc. SMA5127.

Produkteigenschaften SMA5127 SMA5135 SMA5118 SMA5132
Artikelnummer SMA5127 SMA5135 SMA5118 SMA5132
Hersteller Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc.
FET-Merkmal - Standard - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Leistung - max 4W 4W (Ta), 29W (Tc) 4W -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C 150°C (TJ) -
Serie - - - -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 10V 320pF @ 10V, 790pF @ 10V 770pF @ 10V -
Verpackung / Gehäuse 12-SIP 12-SIP 12-SIP 12-SIP
Grundproduktnummer SMA51 SMA51 SMA51 SMA51
Konfiguration 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge) 3 N and 3 P-Channel (3 Phase Inverter) 6 N-Channel (3-Phase Bridge) 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
Supplier Device-Gehäuse 12-SIP 12-SIP 12-SIP 12-SIP
Paket Tube Tube Tube Tube
VGS (th) (Max) @ Id 2V @ 250µA 2V @ 250µA 4V @ 1mA -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60V 60V 500V 500V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 2A, 4V 220mOhm @ 3A, 4V, 220mOhm @ 3A, 10V 1.4Ohm @ 2.5A, 10V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4A 6A (Ta) 5A 1.5A

SMA5127 Datenblatt PDF

Laden Sie SMA5127 PDF -Datenblätter und Sanken Electric USA Inc. -Dokumentation für SMA5127 - Sanken Electric USA Inc. herunter.

Datenblätter
SMA5127.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-SMA5127

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