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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSSF2318E
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SSF2318E - Good-Ark Semiconductor

Hersteller Artikelnummer
SSF2318E
Hersteller
Good-Ark Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-SSF2318E
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET, N-CH, SINGLE, 6.5A, 20V,
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
SSF2318E.pdf
RoHS Status
vorrätig: 413200

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Spezifikation

SSF2318E Tech -Spezifikationen
Good-Ark Semiconductor - SSF2318E Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Good-Ark Semiconductor - SSF2318E

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Good-Ark Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.4W  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Good-Ark Semiconductor SSF2318E.

Produkteigenschaften SSF2318E SSF2311S SSF2320Y SSF2314
Artikelnummer SSF2318E SSF2311S SSF2320Y SSF2314
Hersteller Good-Ark Semiconductor Good-Ark Semiconductor Good-Ark Semiconductor Good-Ark Semiconductor
FET-Merkmal - - - -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C -55°C ~ 150°C (TJ)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1160 pF @ 10 V 1230 pF @ 10 V 75 pF @ 10 V 775 pF @ 10 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.2V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 4.5 V 13 nC @ 4.5 V 1 nC @ 4.5 V 11 nC @ 4.5 V
Vgs (Max) ±8V ±10V ±8V ±10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 6.5A 4.7A (Tc) 800mA (Tc) 5.8A (Tc)
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 SOT-523 SOT-23
Verlustleistung (max) 1.4W 1.56W (Tc) 312mW (Tc) 1.56W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 20 V 20 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Typ FET N-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-523 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA - 1V @ 250µA -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22mOhm @ 6.5A, 4.5V 50mOhm @ 3A, 4.5V 300mOhm @ 500mA, 4.5V 25mOhm @ 4A, 4.5V
Serie - - - -

SSF2318E Datenblatt PDF

Laden Sie SSF2318E PDF -Datenblätter und Good-Ark Semiconductor -Dokumentation für SSF2318E - Good-Ark Semiconductor herunter.

Datenblätter
SSF2318E.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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