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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2N3439
STMicroelectronics
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2N3439 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
2N3439
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-2N3439
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 350V 1A TO39
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Datenblatt
2N3439, 2N3440.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4580

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Spezifikation

2N3439 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - 2N3439 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - 2N3439

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 350 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-39  
Serie -  
Leistung - max 1 W  
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 15MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 20mA, 10V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A  
Grundproduktnummer 2N34  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics 2N3439.

Produkteigenschaften 2N3439 2N3440 2N3439 2N3416
Artikelnummer 2N3439 2N3440 2N3439 2N3416
Hersteller STMicroelectronics Microchip Technology Solid State Inc. Harris Corporation
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 4mA, 50mA 500mV @ 4mA, 50mA 500mV @ 4mA, 50mA 300mV @ 3mA, 50mA
Betriebstemperatur 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -65°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Paket Tube Bulk Bulk Bulk
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 40 @ 20mA, 10V 40 @ 20mA, 10V 40 @ 20mA, 10V 75 @ 2mA, 4.5V
Leistung - max 1 W 800 mW 1 W 625 mW
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Verpackung / Gehäuse TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-205AD, TO-39-3 Metal Can TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Supplier Device-Gehäuse TO-39 TO-39 (TO-205AD) TO-39 TO-92-3
Serie - - - -
Strom - Collector Cutoff (Max) 20µA 2µA 20µA 100nA (ICBO)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 350 V 250 V 350 V 50 V
Grundproduktnummer 2N34 2N3440 - 2N341
Strom - Kollektor (Ic) (max) 1 A 1 A 1 A 500 mA
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Frequenz - Übergang 15MHz - 15MHz -

2N3439 Datenblatt PDF

Laden Sie 2N3439 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für 2N3439 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Metal Package Devices 17/Jun/2013.pdf
Datenblätter
2N3439, 2N3440.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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