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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-Einzel2SD2012
2SD2012 Image
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2SD2012 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
2SD2012
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-2SD2012
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 3A TO220F
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
2SD2012.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4870

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Anzahl

Spezifikation

2SD2012 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - 2SD2012 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - 2SD2012

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-220F  
Serie -  
Leistung - max 25 W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 3MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO)  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer 2SD2  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics 2SD2012.

Produkteigenschaften 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2008
Artikelnummer 2SD2012 2SD2014 2SD2015 2SD2008
Hersteller STMicroelectronics Sanken Electric USA Inc. Sanken Electric USA Inc. LAPIS Technology
Grundproduktnummer 2SD2 - - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack -
Supplier Device-Gehäuse TO-220F TO-220F TO-220F -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole -
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1V @ 200mA, 2A 1.5V @ 3mA, 3A 1.5V @ 2mA, 2A -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 4 A 4 A -
Transistor-Typ NPN NPN - Darlington NPN - Darlington -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 80 V 120 V -
Frequenz - Übergang 3MHz 75MHz 40MHz -
Leistung - max 25 W 25 W 25 W -
Serie - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 100 @ 500mA, 5V 2000 @ 3A, 2V 2000 @ 2A, 2V -
Strom - Collector Cutoff (Max) 100µA (ICBO) 10µA (ICBO) 10µA (ICBO) -
Paket Tube Bulk Bulk -

2SD2012 Datenblatt PDF

Laden Sie 2SD2012 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für 2SD2012 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 23/Jul/2013.pdf
Datenblätter
2SD2012.pdf

Lieferung

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Versandkosten

  1. Verwenden Sie Ihr Expresskonto für den Versand, wenn Sie einen haben.
  2. Verwenden Sie unser Konto für die Sendung.In der folgenden Tabelle finden Sie die ungefähren Gebühren.
(Unterschiedlicher Zeitrahmen / Länder / Paketgröße hat einen unterschiedlichen Preis.)

Versandart

  1. Globale gemeinsame Versand von DHL / UPS / FEDEX / TNT / EMS / SF, die wir unterstützen.
  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
Die obige Tabelle dient nur als Referenz.Möglicherweise gibt es einige Datenverzerrungen für die unkontrollierbaren Faktoren.
Kontaktieren Sie uns, wenn Sie Fragen haben.

mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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2SD2012

STMicroelectronics
32D-2SD2012

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