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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelBULD118D-1
BULD118D-1 Image
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BULD118D-1 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
BULD118D-1
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-BULD118D-1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 400V 2A TO251
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
BULD118D-1.pdf
RoHS Status
vorrätig: 85250

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Anzahl

Spezifikation

BULD118D-1 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - BULD118D-1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - BULD118D-1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 400mA, 2A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK)  
Serie -  
Leistung - max 20 W  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 500mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A  
Grundproduktnummer BULD118  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics BULD118D-1.

Produkteigenschaften BULD118D-1 BULB128-1 BULB39D-1 BULK128D-B
Artikelnummer BULD118D-1 BULB128-1 BULB39D-1 BULK128D-B
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA 250µA 100µA 250µA
Serie - - - -
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 400mA, 2A 500mV @ 1A, 4A 1.1V @ 500mA, 2.5A 1.5V @ 500mA, 2.5A
Supplier Device-Gehäuse TO-251 (IPAK) TO-262 D²PAK SOT-82-3
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB SOT-82
Paket Tube Tube Tube Tube
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 400 V 450 V 400 V
Strom - Kollektor (Ic) (max) 2 A 4 A 4 A 4 A
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Frequenz - Übergang - - - -
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 500mA, 5V 14 @ 2A, 5V 10 @ 10mA, 5V 8 @ 2A, 5V
Leistung - max 20 W 70 W 70 W 55 W
Grundproduktnummer BULD118 BULB128 BULB39 BULK128
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN

BULD118D-1 Datenblatt PDF

Laden Sie BULD118D-1 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für BULD118D-1 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
New Molding Compound 13/Sep/2019.pdf
Datenblätter
BULD118D-1.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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mögliche Zahlungsmitteln

Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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BULD118D-1

STMicroelectronics
32D-BULD118D-1

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