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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF630FP
IRF630FP Image
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IRF630FP - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
IRF630FP
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-IRF630FP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 9A TO220FP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3 Full Pack
Datenblatt
IRF630(FP).pdf
RoHS Status
vorrätig: 4650

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Anzahl

Spezifikation

IRF630FP Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - IRF630FP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - IRF630FP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP  
Serie MESH OVERLAY™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF6  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics IRF630FP.

Produkteigenschaften IRF630FP IRF630A IRF630NL IRF630NPBF
Artikelnummer IRF630FP IRF630A IRF630NL IRF630NPBF
Hersteller STMicroelectronics Fairchild Semiconductor Infineon Technologies Infineon Technologies
Grundproduktnummer IRF6 - - IRF630
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 200 V 200 V 200 V
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Full Pack TO-220-3 TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400mOhm @ 4.5A, 10V 400mOhm @ 4.5A, 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V 300mOhm @ 5.4A, 10V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Vgs (Max) ±20V ±30V ±20V ±20V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
Serie MESH OVERLAY™ II - HEXFET® HEXFET®
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 72W (Tc) 82W (Tc) 82W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 25 V 650 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V 575 pF @ 25 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 9A (Tc) 9A (Tc) 9.3A (Tc) 9.3A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Paket Tube Bulk Tube Tube
Supplier Device-Gehäuse TO-220FP TO-220 TO-262 TO-220AB
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

IRF630FP Datenblatt PDF

Laden Sie IRF630FP PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für IRF630FP - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
IRF630(FP).pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Power MOSFET Transistors 29/Jul/2013.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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IRF630FP

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32D-IRF630FP

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