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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelIRF740
IRF740 Image
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IRF740 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
IRF740
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-IRF740
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
IRF740.pdf
RoHS Status
vorrätig: 5350

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Anzahl

Spezifikation

IRF740 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - IRF740 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - IRF740

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie PowerMESH™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 5.3A, 10V  
Verlustleistung (max) 125W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)  
Grundproduktnummer IRF7  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics IRF740.

Produkteigenschaften IRF740 IRF740 IRF7401PBF IRF7401TRPBF
Artikelnummer IRF740 IRF740 IRF7401PBF IRF7401TRPBF
Hersteller STMicroelectronics Vishay Siliconix International Rectifier Infineon Technologies
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 2.7V, 4.5V 2.7V, 4.5V
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220AB 8-SO 8-SO
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550mOhm @ 5.3A, 10V 550mOhm @ 6A, 10V 22mOhm @ 4.1A, 4.5V 22mOhm @ 4.1A, 4.5V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1400 pF @ 25 V 1400 pF @ 25 V 1600 pF @ 15 V 1600 pF @ 15 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount Surface Mount
Grundproduktnummer IRF7 IRF740 - IRF7401
Paket Tube Tube Bulk Tape & Reel (TR)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10A (Tc) 10A (Tc) 8.7A (Ta) 8.7A (Ta)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 43 nC @ 10 V 63 nC @ 10 V 48 nC @ 4.5 V 48 nC @ 4.5 V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 400 V 20 V 20 V
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 125W (Tc) 125W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 700mV @ 250µA (Min) 700mV @ 250µA (Min)
Serie PowerMESH™ II - HEXFET® HEXFET®
FET-Merkmal - - - -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±12V ±12V

IRF740 Datenblatt PDF

Laden Sie IRF740 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für IRF740 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
IRF740.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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    +00852 9146 4856

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