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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJD32CT4
MJD32CT4 Image
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MJD32CT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
MJD32CT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-MJD32CT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS PNP 100V 3A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
MJD32C.pdf
RoHS Status
vorrätig: 135430

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Anzahl

Spezifikation

MJD32CT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - MJD32CT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - MJD32CT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A  
Transistor-Typ PNP  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie -  
Leistung - max 15 W  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tape & Reel (TR)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 3A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A  
Grundproduktnummer MJD32  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics MJD32CT4.

Produkteigenschaften MJD32CT4 MJD32CRL MJD32CTF MJD32CTM
Artikelnummer MJD32CT4 MJD32CRL MJD32CTF MJD32CTM
Hersteller STMicroelectronics onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Strom - Kollektor (Ic) (max) 3 A 3 A 3 A 3 A
Strom - Collector Cutoff (Max) 50µA 50µA 50µA 50µA
Grundproduktnummer MJD32 MJD32 - -
Transistor-Typ PNP PNP PNP PNP
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 10 @ 3A, 4V 10 @ 3A, 4V 25 @ 1A, 4V 10 @ 3A, 4V
Frequenz - Übergang - 3MHz 3MHz 3MHz
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK TO-252-3 (DPAK) TO-252-3 (DPAK)
Leistung - max 15 W 1.56 W 1.56 W 1.56 W
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie - - - -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 100 V 100 V 100 V 100 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -65°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A 1.2V @ 375mA, 3A
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

MJD32CT4 Datenblatt PDF

Laden Sie MJD32CT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für MJD32CT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf
Datenblätter
MJD32C.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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  1. Telefon
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MJD32CT4

STMicroelectronics
32D-MJD32CT4

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