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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-Bipolar (BJT)-EinzelMJE3055T
MJE3055T Image
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MJE3055T - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
MJE3055T
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-MJE3055T
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 60V 10A TO220
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-220-3
Datenblatt
MJE2955T, MJE3055T.pdf
RoHS Status
vorrätig: 94960

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Anzahl

Spezifikation

MJE3055T Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - MJE3055T Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - MJE3055T

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-220  
Serie -  
Leistung - max 75 W  
Verpackung / Gehäuse TO-220-3  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Tube  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang 2MHz  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 4A, 4V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 700µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A  
Grundproduktnummer MJE3055  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics MJE3055T.

Produkteigenschaften MJE3055T MJE2955TTU MJE2955T MJE3055TG
Artikelnummer MJE3055T MJE2955TTU MJE2955T MJE3055TG
Hersteller STMicroelectronics Fairchild Semiconductor STMicroelectronics onsemi
Leistung - max 75 W 600 mW 75 W 75 W
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 60 V 60 V 60 V 60 V
Frequenz - Übergang 2MHz 2MHz 2MHz 2MHz
Serie - MJE2955T - -
Verpackung / Gehäuse TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Supplier Device-Gehäuse TO-220 TO-220-3 TO-220 TO-220
Paket Tube Bulk Tube Tube
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 8V @ 3.3A, 10A 8V @ 3.3A, 10A 8V @ 3.3A, 10A 8V @ 3.3A, 10A
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 20 @ 4A, 4V 20 @ 4A, 4V 20 @ 4A, 4V 20 @ 4A, 4V
Transistor-Typ NPN PNP PNP NPN
Strom - Collector Cutoff (Max) 700µA 700µA 700µA 700µA
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Kollektor (Ic) (max) 10 A 10 A 10 A 10 A
Grundproduktnummer MJE3055 - MJE2955 MJE3055

MJE3055T Datenblatt PDF

Laden Sie MJE3055T PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für MJE3055T - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
Datenblätter
MJE2955T, MJE3055T.pdf

Lieferung

Lieferzeit

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Notiz:
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Als Zahlungsmittel stehen folgende Mitteln zur Wahl: T/T, Banküberweisung, Westunion-Überweisung, Kreditkarte, PayPal.

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  1. Telefon
    +00852 9146 4856

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MJE3055T

STMicroelectronics
32D-MJE3055T

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