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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSCT30N120
SCT30N120 Image
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SCT30N120 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
SCT30N120
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-SCT30N120
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-247-3
Datenblatt
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver.pdf
SCT30N120.pdf
RoHS Status
vorrätig: 2126

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Anzahl

Spezifikation

SCT30N120 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - SCT30N120 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - SCT30N120

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ)  
Vgs (Max) +25V, -10V  
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)  
Supplier Device-Gehäuse HiP247™  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V  
Verlustleistung (max) 270W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-247-3  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 400 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 20 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer SCT30  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics SCT30N120.

Produkteigenschaften SCT30N120 SCT30N120D2 SCT3030ALGC11 SCT3080ALGC11
Artikelnummer SCT30N120 SCT30N120D2 SCT3030ALGC11 SCT3080ALGC11
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics Rohm Semiconductor Rohm Semiconductor
Serie - - - -
Paket Tube Tray Tube Tube
FET-Merkmal - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Grundproduktnummer SCT30 SCT30 SCT3030 SCT3080
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V 1200 V 650 V 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105 nC @ 20 V 105 nC @ 20 V 104 nC @ 18 V 48 nC @ 18 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1700 pF @ 400 V 1700 pF @ 400 V 1526 pF @ 500 V 571 pF @ 500 V
Verpackung / Gehäuse TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Technologie SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 20A, 20V 100mOhm @ 20A, 20V 39mOhm @ 27A, 18V 104mOhm @ 10A, 18V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 20V 20V 18V 18V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 70A (Tc) 30A (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 2.6V @ 1mA (Typ) 3.5V @ 1mA 5.6V @ 13.3mA 5.6V @ 5mA
Verlustleistung (max) 270W (Tc) 270W (Tc) 262W (Tc) 134W (Tc)
Vgs (Max) +25V, -10V +25V, -10V +22V, -4V +22V, -4V
Betriebstemperatur -55°C ~ 200°C (TJ) -55°C ~ 200°C (TJ) 175°C (TJ) 175°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse HiP247™ HiP247™ TO-247N TO-247N

SCT30N120 Datenblatt PDF

Laden Sie SCT30N120 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für SCT30N120 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver.pdf SCT30N120.pdf
PCN -Design/Spezifikation
Lead Frame Base Material 20/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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