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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB10N95K5
STB10N95K5 Image
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STB10N95K5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB10N95K5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB10N95K5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 950V 8A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
ST(B,F,P,W)10N95K5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 14636

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Spezifikation

STB10N95K5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB10N95K5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB10N95K5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie SuperMESH5™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V  
Verlustleistung (max) 130W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc)  
Grundproduktnummer STB10  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB10N95K5.

Produkteigenschaften STB10N95K5 STB10N60M2 STB100NF04T4 STB10NK60Z-1
Artikelnummer STB10N95K5 STB10N60M2 STB100NF04T4 STB10NK60Z-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 8A (Tc) 7.5A (Tc) 120A (Tc) 10A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 13.5 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V
Grundproduktnummer STB10 STB10 STB100 STB10N
Drain-Source-Spannung (Vdss) 950 V 600 V 40 V 600 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
FET-Merkmal - - - -
Verlustleistung (max) 130W (Tc) 85W (Tc) 300W (Tc) 115W (Tc)
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4.5V @ 250µA
Serie SuperMESH5™ MDmesh™ II Plus Automotive, AEC-Q101, STripFET™ II SuperMESH™
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK I2PAK
Vgs (Max) ±30V ±25V ±20V ±30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800mOhm @ 4A, 10V 600mOhm @ 3A, 10V 4.6mOhm @ 50A, 10V 750mOhm @ 4.5A, 10V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 630 pF @ 100 V 400 pF @ 100 V 5100 pF @ 25 V 1370 pF @ 25 V

STB10N95K5 Datenblatt PDF

Laden Sie STB10N95K5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB10N95K5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPD/15/9124 20/Mar/2015.pdf
Datenblätter
ST(B,F,P,W)10N95K5.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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