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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB12NK80ZT4
STB12NK80ZT4 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STB12NK80ZT4 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB12NK80ZT4
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB12NK80ZT4
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STx12NK80Z.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10528

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Spezifikation

STB12NK80ZT4 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB12NK80ZT4 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB12NK80ZT4

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.25A, 10V  
Verlustleistung (max) 190W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STB12N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB12NK80ZT4.

Produkteigenschaften STB12NK80ZT4 STB120NF10T4 STB12NM50N STB12NM50ND
Artikelnummer STB12NK80ZT4 STB120NF10T4 STB12NM50N STB12NM50ND
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie SuperMESH™ STripFET™ II MDmesh™ II FDmesh™ II
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Grundproduktnummer STB12N STB120 STB12N STB12N
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2620 pF @ 25 V 5200 pF @ 25 V 940 pF @ 50 V 850 pF @ 50 V
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 190W (Tc) 312W (Tc) 100W (Tc) 100W (Tc)
Vgs (Max) ±30V ±20V ±25V ±25V
Drain-Source-Spannung (Vdss) 800 V 100 V 500 V 500 V
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D2PAK D2PAK D²PAK (TO-263)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750mOhm @ 5.25A, 10V 10.5mOhm @ 60A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
FET-Merkmal - - - -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 10.5A (Tc) 110A (Tc) 11A (Tc) 11A (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 87 nC @ 10 V 233 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V

STB12NK80ZT4 Datenblatt PDF

Laden Sie STB12NK80ZT4 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB12NK80ZT4 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Box Label Chg 28/Jul/2016.pdf Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf
Datenblätter
STx12NK80Z.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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