STB15810 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB15810 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB15810

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Hersteller	STMicroelectronics
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA
Vgs (Max)	±20V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK
Serie	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 55A, 10V
Verlustleistung (max)	250W (Tc)
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8115 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	117 nC @ 10 V
Typ FET	N-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB15810.

Produkteigenschaften
Artikelnummer	STB15810	STB15NM60N	STB160N75F3	STB15NM60ND
Hersteller	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics	STMicroelectronics
Verlustleistung (max)	250W (Tc)	125W (Tc)	330W (Tc)	125W (Tc)
Befestigungsart	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount	Surface Mount
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)	150°C (TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.9mOhm @ 55A, 10V	299mOhm @ 7A, 10V	4mOhm @ 60A, 10V	299mOhm @ 7A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	110A (Tc)	14A (Tc)	120A (Tc)	14A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds	8115 pF @ 50 V	1250 pF @ 50 V	6750 pF @ 25 V	1250 pF @ 50 V
Supplier Device-Gehäuse	D2PAK	D2PAK	D2PAK	D2PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V	600 V	75 V	600 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V	10V	10V
Vgs (Max)	±20V	±25V	±20V	±25V
Typ FET	N-Channel	N-Channel	N-Channel	N-Channel
Verpackung / Gehäuse	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Serie	-	MDmesh™ II	STripFET™	FDmesh™ II
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Paket	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)	Tape & Reel (TR)
VGS (th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA	4V @ 250µA	4V @ 250µA	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	117 nC @ 10 V	37 nC @ 10 V	85 nC @ 10 V	40 nC @ 10 V
FET-Merkmal	-	-	-	-

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region	Land	Logistische Zeit (Tag)
Amerika	Vereinigte Staaten	5
Amerika	Brasilien	7
Europa	Deutschland	5
	Großbritannien	4
	Italien	5
Ozeanien	Australien	6
Ozeanien	Neuseeland	5
Asien	Indien	4
Asien	Japan	4
Naher Osten	Israel	6

DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG)	Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg	USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg	USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg	USD$50.00 - USD$100.00

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