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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB28NM50N
STB28NM50N Image
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STB28NM50N - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB28NM50N
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB28NM50N
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 21A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STx28NM50N.pdf
RoHS Status
vorrätig: 9013

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Spezifikation

STB28NM50N Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB28NM50N Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB28NM50N

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie MDmesh™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158mOhm @ 10.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 150W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1735 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc)  
Grundproduktnummer STB28  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB28NM50N.

Produkteigenschaften STB28NM50N STB26NM60N STB28N65M2 STB30N65M5
Artikelnummer STB28NM50N STB26NM60N STB28N65M2 STB30N65M5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Rds On (Max) @ Id, Vgs 158mOhm @ 10.5A, 10V 165mOhm @ 10A, 10V 180mOhm @ 10A, 10V 139mOhm @ 11A, 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK
Serie MDmesh™ II MDmesh™ II MDmesh™ M2 MDmesh™ V
Vgs (Max) ±25V ±30V ±25V ±25V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 21A (Tc) 20A (Tc) 20A (Tc) 22A (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 600 V 650 V 650 V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Grundproduktnummer STB28 STB26 STB28 STB30
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
FET-Merkmal - - - -
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verlustleistung (max) 150W (Tc) 140W (Tc) 170W (Tc) 140W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 35 nC @ 10 V 64 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1735 pF @ 25 V 1800 pF @ 50 V 1440 pF @ 100 V 2880 pF @ 100 V

STB28NM50N Datenblatt PDF

Laden Sie STB28NM50N PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB28NM50N - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014.pdf
Datenblätter
STx28NM50N.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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