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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB36N60M6
STB36N60M6 Image
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STB36N60M6 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB36N60M6
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB36N60M6
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STB36N60M6~.pdf
RoHS Status
vorrätig: 7880

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Spezifikation

STB36N60M6 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB36N60M6 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB36N60M6

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie MDmesh™ M6  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V  
Verlustleistung (max) 208W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.3 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc)  
Grundproduktnummer STB36  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB36N60M6.

Produkteigenschaften STB36N60M6 STB36NM60ND STB35N60DM2 STB34NM60ND
Artikelnummer STB36N60M6 STB36NM60ND STB35N60DM2 STB34NM60ND
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
VGS (th) (Max) @ Id 4.75V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
FET-Merkmal - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44.3 nC @ 10 V 80.4 nC @ 10 V 54 nC @ 10 V 80.4 nC @ 10 V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs 99mOhm @ 15A, 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V 110mOhm @ 14A, 10V 110mOhm @ 14.5A, 10V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Verlustleistung (max) 208W (Tc) 190W (Tc) 210W (Tc) 190W (Tc)
Grundproduktnummer STB36 STB36 STB35 STB34
Vgs (Max) ±25V ±25V ±25V ±25V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 30A (Tc) 29A (Tc) 28A (Tc) 29A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1960 pF @ 100 V 2785 pF @ 50 V 2400 pF @ 100 V 2785 pF @ 50 V
Serie MDmesh™ M6 Automotive, AEC-Q101, FDmesh™ II MDmesh™ DM2 FDmesh™ II
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V 600 V 600 V 600 V

STB36N60M6 Datenblatt PDF

Laden Sie STB36N60M6 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB36N60M6 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
STB36N60M6~.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
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Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
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Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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