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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB40N20
STB40N20 Image
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STB40N20 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB40N20
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB40N20
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 40A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STx40N20.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4420

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Spezifikation

STB40N20 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB40N20 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB40N20

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D2PAK  
Serie STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 20A, 10V  
Verlustleistung (max) 160W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc)  
Grundproduktnummer STB40N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB40N20.

Produkteigenschaften STB40N20 STB40N60M2 STB40NF10LT4 STB3NK60ZT4
Artikelnummer STB40N20 STB40N60M2 STB40NF10LT4 STB3NK60ZT4
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 75 nC @ 10 V 57 nC @ 10 V 64 nC @ 4.5 V 11.8 nC @ 10 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 40A (Tc) 34A (Tc) 40A (Tc) 2.4A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2500 pF @ 25 V 2500 pF @ 100 V 2300 pF @ 25 V 311 pF @ 25 V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 50µA
FET-Merkmal - - - -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 200 V 600 V 100 V 600 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45mOhm @ 20A, 10V 88mOhm @ 17A, 10V 33mOhm @ 20A, 10V 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Grundproduktnummer STB40N STB40 STB40 STB3NK60
Vgs (Max) ±20V ±25V ±15V ±30V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -65°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 160W (Tc) 250W (Tc) 150W (Tc) 45W (Tc)
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie STripFET™ MDmesh™ II Plus STripFET™ II SuperMESH™
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Supplier Device-Gehäuse D2PAK D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount

STB40N20 Datenblatt PDF

Laden Sie STB40N20 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB40N20 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STx40N20.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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