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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB45N40DM2AG
STB45N40DM2AG Image
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STB45N40DM2AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB45N40DM2AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB45N40DM2AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 400V 38A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
STB45N40DM2AG.pdf
RoHS Status
vorrätig: 10850

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Anzahl

Spezifikation

STB45N40DM2AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB45N40DM2AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB45N40DM2AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 19A, 10V  
Verlustleistung (max) 250W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc)  
Grundproduktnummer STB45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB45N40DM2AG.

Produkteigenschaften STB45N40DM2AG STB45N30M5 STB40NF20 STB43N60DM2
Artikelnummer STB45N40DM2AG STB45N30M5 STB40NF20 STB43N60DM2
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263) D2PAK D²PAK (TO-263)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Verlustleistung (max) 250W (Tc) 250W (Tc) 160W (Tc) 250W (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56 nC @ 10 V 95 nC @ 10 V 75 nC @ 10 V 56 nC @ 10 V
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 400 V 300 V 200 V 600 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2600 pF @ 100 V 4240 pF @ 100 V 2500 pF @ 25 V 2500 pF @ 100 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 38A (Tc) 53A (Tc) 40A (Tc) 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 72mOhm @ 19A, 10V 40mOhm @ 26.5A, 10V 45mOhm @ 20A, 10V 93mOhm @ 17A, 10V
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Grundproduktnummer STB45 STB45 STB40 STB43
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Vgs (Max) ±25V ±25V ±20V ±25V
Serie Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 MDmesh™ M5 STripFET™ MDmesh™ DM2
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

STB45N40DM2AG Datenblatt PDF

Laden Sie STB45N40DM2AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB45N40DM2AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
Mult Devices Testing 10/May/2018.pdf
Datenblätter
STB45N40DM2AG.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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