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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB5NK50Z-1
STB5NK50Z-1 Image
Das Bild steht nur zum Referenz. Für detaillierte Produktinfos bitte die Produktdaten einsehen

STB5NK50Z-1 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB5NK50Z-1
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB5NK50Z-1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 4.4A I2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Datenblatt
STx5NK50Z(FP,-1).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3830

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Anzahl

Spezifikation

STB5NK50Z-1 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB5NK50Z-1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB5NK50Z-1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262)  
Serie SuperMESH™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Tc)  
Grundproduktnummer STB5N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB5NK50Z-1.

Produkteigenschaften STB5NK50Z-1 STB5NK52ZD-1 STB5NK50ZT4 STB600B0/TR
Artikelnummer STB5NK50Z-1 STB5NK52ZD-1 STB5NK50ZT4 STB600B0/TR
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 28 nC @ 10 V 16.9 nC @ 10 V 28 nC @ 10 V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V -
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Surface Mount -
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 535 pF @ 25 V 529 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V -
Paket Tube Tube Tape & Reel (TR) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA 4.5V @ 50µA -
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 70W (Tc) 70W (Tc) -
Grundproduktnummer STB5N STB5N STB5N -
FET-Merkmal - - - -
Serie SuperMESH™ SuperMESH™ SuperMESH™ -
Verpackung / Gehäuse TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 4.4A (Tc) 4.4A (Tc) 4.4A (Tc) -
Supplier Device-Gehäuse I2PAK (TO-262) I2PAK D2PAK -
Drain-Source-Spannung (Vdss) 500 V 520 V 500 V -
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -

STB5NK50Z-1 Datenblatt PDF

Laden Sie STB5NK50Z-1 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB5NK50Z-1 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019.pdf
Datenblätter
STx5NK50Z(FP,-1).pdf
PCN -Baugruppe/Herkunft
TO-220 Capacity Expansion 18/Jun/2013.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Mult Dev OBS 3/Jul/2020.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STB5NK50Z-1

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32D-STB5NK50Z-1

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