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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB6N62K3
STB6N62K3 Image
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STB6N62K3 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB6N62K3
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB6N62K3
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 620V 5.5A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
S Tx6N62K3.pdf
RoHS Status
vorrätig: 4500

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Spezifikation

STB6N62K3 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB6N62K3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB6N62K3

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA  
Vgs (Max) ±30V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie SuperMESH3™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V  
Verlustleistung (max) 90W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc)  
Grundproduktnummer STB6N  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB6N62K3.

Produkteigenschaften STB6N62K3 STB6N65K3 STB6N65M2 STB6N80K5
Artikelnummer STB6N62K3 STB6N65K3 STB6N65M2 STB6N80K5
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB - TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Verlustleistung (max) 90W (Tc) - 60W (Tc) 85W (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 10 V - 9.8 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V
Betriebstemperatur 150°C (TJ) - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 5.5A (Tc) 5.4A (Tc) 4A (Tc) 4.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V - 10V 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2Ohm @ 2.8A, 10V - 1.35Ohm @ 2A, 10V 1.6Ohm @ 2A, 10V
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) - D²PAK (TO-263) D²PAK (TO-263)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 875 pF @ 50 V - 226 pF @ 100 V 255 pF @ 100 V
VGS (th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA - 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Typ FET N-Channel - N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±30V - ±25V 30V
Serie SuperMESH3™ - MDmesh™ SuperMESH5™
Grundproduktnummer STB6N STB6N65 STB6N STB6N80
Technologie MOSFET (Metal Oxide) - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 620 V - 650 V 800 V
Befestigungsart Surface Mount - Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -

STB6N62K3 Datenblatt PDF

Laden Sie STB6N62K3 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB6N62K3 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Design/Spezifikation
D2PAK Lead Modification 04/Oct/2013.pdf IPG-PWR/14/8422 11/Apr/2014.pdf
PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 01/Aug/2014.pdf
Datenblätter
S Tx6N62K3.pdf

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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32D-STB6N62K3

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