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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTB80N4F6AG
STB80N4F6AG Image
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STB80N4F6AG - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STB80N4F6AG
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STB80N4F6AG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 40V 80A D2PAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datenblatt
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf
STB80N4F6AG Datasheet.pdf
RoHS Status
vorrätig: 40675

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Spezifikation

STB80N4F6AG Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STB80N4F6AG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STB80N4F6AG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263)  
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V  
Verlustleistung (max) 70W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc)  
Grundproduktnummer STB80  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STB80N4F6AG.

Produkteigenschaften STB80N4F6AG STB80N20M5 STB80NE03L-06T4 STB7NK80Z-1
Artikelnummer STB80N4F6AG STB80N20M5 STB80NE03L-06T4 STB7NK80Z-1
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
Vgs (Max) ±20V ±25V ±20V ±30V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Verlustleistung (max) 70W (Tc) 190W (Tc) 150W (Tc) 125W (Tc)
Supplier Device-Gehäuse D²PAK (TO-263) D2PAK D2PAK I2PAK
Drain-Source-Spannung (Vdss) 40 V 200 V 30 V 800 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2150 pF @ 25 V 4329 pF @ 50 V 6500 pF @ 25 V 1138 pF @ 25 V
Grundproduktnummer STB80 STB80 STB80N STB7NK80
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 40A, 10V 23mOhm @ 30.5A, 10V 6mOhm @ 40A, 10V 1.8Ohm @ 2.6A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 80A (Tc) 61A (Tc) 80A (Tc) 5.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 4.5V, 10V 10V
Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
FET-Merkmal - - - -
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Serie Automotive, AEC-Q101, STripFET™ MDmesh™ V STripFET™ SuperMESH™
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V 104 nC @ 10 V 130 nC @ 5 V 56 nC @ 10 V

STB80N4F6AG Datenblatt PDF

Laden Sie STB80N4F6AG PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STB80N4F6AG - STMicroelectronics herunter.

PCN -Verpackung
Mult Dev Inner Box Chg 9/Dec/2021.pdf
Datenblätter
Spice Model Tutorial for Power MOSFETS.pdf STB80N4F6AG Datasheet.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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