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STBV45-AP Image
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STBV45-AP - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STBV45-AP
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STBV45-AP
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
TRANS NPN 400V 0.75A TO92AP
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Datenblatt
STBV45.pdf
RoHS Status
vorrätig: 233430

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Anzahl

Spezifikation

STBV45-AP Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STBV45-AP Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STBV45-AP

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V  
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 135mA, 400mA  
Transistor-Typ NPN  
Supplier Device-Gehäuse TO-92AP  
Serie -  
Leistung - max 950 mW  
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Paket Cut Tape (CT)  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Frequenz - Übergang -  
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 5 @ 400mA, 5V  
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA  
Strom - Kollektor (Ic) (max) 750 mA  
Grundproduktnummer STBV45  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STBV45-AP.

Produkteigenschaften STBV45-AP STBV42 STBV32-AP STBV42-AP
Artikelnummer STBV45-AP STBV42 STBV32-AP STBV42-AP
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Verpackung / Gehäuse TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 135mA, 400mA 1.5V @ 250mA, 750mA 1.5V @ 500mA, 1.5A 1.5V @ 250mA, 750mA
Frequenz - Übergang - - - -
Befestigungsart Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE 5 @ 400mA, 5V 10 @ 400mA, 5V 5 @ 1A, 2V 10 @ 400mA, 5V
Supplier Device-Gehäuse TO-92AP TO-92-3 TO-92AP TO-92AP
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max) 400 V 400 V 400 V 400 V
Transistor-Typ NPN NPN NPN NPN
Leistung - max 950 mW 1 W 1.5 W 1 W
Grundproduktnummer STBV45 STBV42 STBV32 STBV42
Paket Cut Tape (CT) Bulk Cut Tape (CT) Cut Tape (CT)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Serie - - - -
Strom - Kollektor (Ic) (max) 750 mA 1 A 1.5 A 1 A
Strom - Collector Cutoff (Max) 250µA 1mA 1mA 1mA

STBV45-AP Datenblatt PDF

Laden Sie STBV45-AP PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STBV45-AP - STMicroelectronics herunter.

PCN -Obsoleszenz/ EOL
Multiple Devices 23/Jul/2013.pdf
Datenblätter
STBV45.pdf

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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