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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD12NF06-1
STD12NF06-1 Image
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STD12NF06-1 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD12NF06-1
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD12NF06-1
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datenblatt
STD12NF06(T4).pdf
RoHS Status
vorrätig: 3660

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Anzahl

Spezifikation

STD12NF06-1 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD12NF06-1 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD12NF06-1

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse I-PAK  
Serie STripFET™ II  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6A, 10V  
Verlustleistung (max) 30W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA  
Paket Tube  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Befestigungsart Through Hole  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 25 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc)  
Grundproduktnummer STD12  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD12NF06-1.

Produkteigenschaften STD12NF06-1 STD12NM50N STD12NF06LT4 STD12NM50ND
Artikelnummer STD12NF06-1 STD12NM50N STD12NF06LT4 STD12NM50ND
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Grundproduktnummer STD12 STD12 STD12 STD12
Supplier Device-Gehäuse I-PAK DPAK DPAK DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V 100mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 5.5A, 10V
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Paket Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V 500 V 60 V 500 V
FET-Merkmal - - - -
Serie STripFET™ II MDmesh™ II STripFET™ II FDmesh™ II
Verlustleistung (max) 30W (Tc) 100W (Tc) 42.8W (Tc) 100W (Tc)
Verpackung / Gehäuse TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315 pF @ 25 V 940 pF @ 50 V 350 pF @ 25 V 850 pF @ 50 V
VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±25V ±16V ±25V
Befestigungsart Through Hole Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Typ FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 5V, 10V 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 12A (Tc) 11A (Tc) 12A (Tc) 11A (Tc)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 10 nC @ 5 V 30 nC @ 10 V

STD12NF06-1 Datenblatt PDF

Laden Sie STD12NF06-1 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD12NF06-1 - STMicroelectronics herunter.

Datenblätter
STD12NF06(T4).pdf

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Versandart

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  2. Andere Versandmethoden, bitte setzen Sie sich mit Ihrem Kundenmanager in Verbindung.

Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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