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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelSTD15N65M5
STD15N65M5 Image
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STD15N65M5 - STMicroelectronics

Hersteller Artikelnummer
STD15N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Allelco Artikelnummer
32D-STD15N65M5
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET N CH 650V 11A DPAK
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Datenblatt
STB,D15N65M5.pdf
RoHS Status
vorrätig: 13730

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Spezifikation

STD15N65M5 Tech -Spezifikationen
STMicroelectronics - STD15N65M5 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie STMicroelectronics - STD15N65M5

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller STMicroelectronics  
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse DPAK  
Serie MDmesh™ V  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 5.5A, 10V  
Verlustleistung (max) 85W (Tc)  
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V  
Typ FET N-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc)  
Grundproduktnummer STD15  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie STMicroelectronics STD15N65M5.

Produkteigenschaften STD15N65M5 STD155N3H6 STD15P6F6AG STD155N3LH6
Artikelnummer STD15N65M5 STD155N3H6 STD15P6F6AG STD155N3LH6
Hersteller STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics STMicroelectronics
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
FET-Merkmal - - - -
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 5V, 10V
Supplier Device-Gehäuse DPAK DPAK DPAK D-PAK (TO-252)
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±20V
Typ FET N-Channel N-Channel P-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 85W (Tc) 110W (Tc) 35W (Tc) 110W (Tc)
Betriebstemperatur 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V 30 V 60 V 30 V
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 340mOhm @ 5.5A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V 160mOhm @ 5A, 10V 3mOhm @ 40A, 10V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 11A (Tc) 80A (Tc) 10A (Tc) 80A (Tc)
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 816 pF @ 100 V 3650 pF @ 25 V 340 pF @ 48 V 3800 pF @ 25 V
VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Serie MDmesh™ V DeepGATE™, STripFET™ VI Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6 DeepGATE™, STripFET™ VI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V 6.4 nC @ 10 V 80 nC @ 5 V
Grundproduktnummer STD15 STD15 STD15 STD155

STD15N65M5 Datenblatt PDF

Laden Sie STD15N65M5 PDF -Datenblätter und STMicroelectronics -Dokumentation für STD15N65M5 - STMicroelectronics herunter.

PCN -Baugruppe/Herkunft
IPG-PWR/14/8552 23/Jun/2014.pdf
PCN -Design/Spezifikation
New Lead Frame Design 17/Mar/2023.pdf Datasheet Rev 09/Feb/2022.pdf
Datenblätter
STB,D15N65M5.pdf

Lieferung

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Versandart

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Logistische Zeitreferenz für Gemeinsame Länder
Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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STD15N65M5

STMicroelectronics
32D-STD15N65M5

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